氮化铝低介电加热盘 半导体高频低损耗工艺件
在半导体制程的深水区，刻蚀与薄膜沉积工艺正向高频射频（RF）驱动演进。无论是电容耦合等离子体（CCP）刻蚀、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀，还是高频等离子体增强化学气相沉积（PECVD），其射频电源频率已从传统的13.56MHz攀升...
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共 2 篇刻蚀机专用加热盘 半导体刻蚀工艺恒温承载基座
在半导体制造迈向3nm及以下节点的征途中，刻蚀工艺作为图形转移的核心环节，其选择比、侧壁形貌与关键尺寸均匀性直接决定了芯片的性能上限。而刻蚀机专用加热盘作为晶圆在等离子体环境中的物理支撑与热管理载体，早已超越单纯的“热源”角色，成为...