陶瓷腔体定制 半导体真空工艺耐高温陶瓷腔体
在半导体前道制造的核心链路中,刻蚀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)及外延生长等工艺,均需在极高真空度与极端温度交织的密闭腔体内完成。随着逻辑芯片制程向3nm及2nm节点微缩,3D NAND存储堆叠层数突...
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在半导体前道制造的核心链路中,刻蚀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)及外延生长等工艺,均需在极高真空度与极端温度交织的密闭腔体内完成。随着逻辑芯片制程向3nm及2nm节点微缩,3D NAND存储堆叠层数突...