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在半导体制造过程中,晶圆加工环节对温度控制的精度要求极为严苛。以12英寸晶圆的化学气相沉积为例,加热盘表面的温度均匀性需要控制在±1摄氏度以内,任何微小的温度波动都可能导致薄膜厚度不均、晶体缺陷增加,从而影响芯片的良率表现。