#晶圆均热

氮化铝低温差加热盘 整片晶圆均热工艺台

在半导体制程中，晶圆表面哪怕存在1℃的温度偏差，都可能在纳米级薄膜沉积中引发厚度不均、晶格应力分布失衡或刻蚀速率漂移。当工艺节点推进至5nm、3nm乃至更前沿的GAA架构时，整片12英寸晶圆上的热预算窗口已被压缩至±0.5℃以内。