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氧化铝陶瓷高温盘 半导体退火固化工艺专用底座

在半导体制造的后道制程与封装领域,退火与固化工艺是器件电学性能、释放材料应力、实现欧姆接触的关键环节。这一过程通常在600℃至1200℃的高温真空或特定气氛下进行,对承载晶圆的底座提出了极为苛刻的综合性能要求。传统金属基座在高温下易...

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